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三河建華高科有限責任公司
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主要用于中小規模集成電路和半導體元器件制造工藝中的對準及曝光
主要用于中小規模集成電路和半導體元器件制造工藝中的對準及曝光。本產品操作方便、穩定性高、重復性好，并具有較高的性能價格比，可廣泛應用于科研和生產。
主要技術特點
對準工作臺
對準精度搞，漂移小，精密楔形誤差補償機構實現三點找平，找平力小，延長掩摸版使用壽命。
曝光系統
采用柱體蠅眼透鏡和高能力集光的橢球反射鏡等精密光學件，具有較高的光強、均勻性、光學分辨率。
分離視場顯微鏡
顯微鏡像質清晰，觀察舒適。
控制系統
電氣控制采用可編程序控制器（PLC）、LCD顯示器，操作方便，汞燈電源易于觸發，可靠性高。該設備的關鍵件采用進口或專業廠家制造，氣動元件采用SMC產品，提高了設備的穩定性、可靠性，同時提供個性化服務。
主要技術指標
| 性能名稱 | 技術指標 | ||
| 適用基片尺寸 | Max. φ5″（φ125mm） | ||
| 適用掩模版尺寸 | Max. 6″（150mm×150mm） | ||
| 工作臺行程 | Ｘ向 | ±5mm | |
| Y向 | ±5mm | ||
| Z向 | 3mm | ||
| θ向 | ±5° | ||
| 基片與掩模版分離間隙 | 0～0.05mm | ||
| 對準精度 | ±1μm | ||
| 顯微鏡 | 物鏡放大率 | 0.75×～5× | |
| 總放大倍數 | 40×～300× | ||
| 物鏡分離距離 | 50～120mm | ||
| 掃描范圍 | 50mm×50mm | ||
| 調焦范圍 | 8mm | ||
| 曝光光源 | 365nm，500W進口汞燈 | ||
| 曝光面積 | φ160mm | ||
| 曝光分辨率 | 1.5um（正膠、真空接觸） | ||
| 光強 | ≥20mW/cm2 | ||
| 曝光不均勻性 | ±5% | ||
| 曝光時間 | 0～999s | ||
| 外型尺寸 | 1300mm×1100mm×1650mm | ||
| 重量 | 300Kg | ||
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